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感應(yīng)加熱設(shè)備發(fā)展趨勢
發(fā)布時間:2019-08-26 文章來源:本站  瀏覽次數(shù):5600

感應(yīng)加熱來源于法拉第發(fā)現(xiàn)的電磁感應(yīng)現(xiàn)象, 也便是交變的電流會在導(dǎo)體中產(chǎn)生感應(yīng)電流, 然后導(dǎo)致導(dǎo)體發(fā)熱。1890 年瑞典技能人員發(fā)明晰第一臺感應(yīng)熔煉爐——開槽式有芯爐, 1916 年美國人發(fā)明晰閉槽有芯爐,從此感應(yīng)加熱技能逐漸進(jìn)入實用化階段。20 世紀(jì)電力電子器件和技能的飛速開展, 極大地促進(jìn)了感應(yīng)加熱技能的開展。
     
 1957 年, 美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管, 標(biāo)志著現(xiàn)代電力電子技能的開端, 也引發(fā)了感應(yīng)加熱技能的革新。19 66 年, 瑞士和西德首先利用晶閘管研制感應(yīng)加熱設(shè)備, 從此感應(yīng)加熱技能開端飛速開展。
      
  20 世紀(jì)80 年代后, 電力電子器件再次快速開展,GTO、MOSFET、IGBT、MCT 及SIT 等器件相繼呈現(xiàn)。感應(yīng)加熱設(shè)備也逐漸摒棄晶閘管, 開端選用這些新器件,F(xiàn)在比較常用的是IGBT 和MOSFET, IGBT 用于較大功率場合, 而MOSFET 用于較高頻率場合。據(jù)報道, 國外可以選用IGBT 將感應(yīng)加熱設(shè)備做到功率超越1000kW,頻率超越50kHz。而MOSFET 較適用高頻場合, 一般應(yīng)用在幾千瓦的中小功率場合, 頻率可達(dá)到500kHz 以上,甚至幾兆赫茲。但是國外也有推出選用MOSFET 的大功率的感應(yīng)加熱設(shè)備, 比方美國研制的2000kW/400kHz 的設(shè)備。
      
  我國感應(yīng)熱處理技能的真實應(yīng)用始于1956 年, 早年蘇聯(lián)引入, 首要應(yīng)用在轎車工業(yè)。跟著20 世紀(jì)電源設(shè)備的制造, 感應(yīng)淬火工藝配備也緊隨其后得到開展。現(xiàn)在國內(nèi)感應(yīng)淬火工藝配備制造業(yè)也日益擴(kuò)大, 產(chǎn)品品種多,本來需要進(jìn)口的配備, 逐漸被國產(chǎn)品所取代, 在為國家節(jié)約外匯的同時, 開展了國內(nèi)的相關(guān)企業(yè)。目前感應(yīng)加熱制造業(yè)的服務(wù)目標(biāo)首要是轎車制造業(yè), 今后現(xiàn)代冶金工業(yè)將對感應(yīng)加熱有較大需求。 

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